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Graphenea石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S20

·生長(zhǎng)方法:CVD合成
·聚合物輔助轉(zhuǎn)移
·芯片尺寸:10 mm x 10 mm
·切屑厚度:675μm
·每個(gè)芯片的GFET數(shù)量:12
·柵極氧化物厚度:90 nm
·柵極氧化物材料:SiO2
·襯底電阻率:1-10Ω.cm
·金屬化:Au觸點(diǎn)
·石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率:>1000 cm2/V.s
·封裝:50 nm Al2O3
·狄拉克點(diǎn)(背柵):±2V
·狄拉克點(diǎn)(液體門(mén)控):<1V
·最小工作裝置:>75%
·最大柵源電壓:±2V
·最高額定溫度:150°C
·最大漏源電流密度:107A.cm-2

價(jià)格:4800元/片

jc@m.86qy.net.cn
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