與其他低維材料相比，過渡金屬的二維(2D)碳化物，即所謂的“MXenes”，通過氫鍵保持了優(yōu)異的光學(xué)性能和獨(dú)特的層堆積形式。這些特性在超快光子領(lǐng)域引起了越來越多的研究興趣。在這項(xiàng)工作中，我們通過超聲輔助液相剝離技術(shù)，實(shí)驗(yàn)合成了碳化鈦(Ti3C2Tx)和碳化鉭(Ta4C3Tx)，作為兩種有前景的MXene光子應(yīng)用材料。通過透射電子顯微鏡和x射線衍射分析對制備的Ti3C2Tx和Ta4C3Tx的形貌進(jìn)行了系統(tǒng)的表征。利用密度泛函理論獲得了它們的電子帶結(jié)構(gòu)，證明了它們的金屬性質(zhì)，并驗(yàn)證了它們在1 μm處的光學(xué)吸收。通過將它們作為波導(dǎo)激光腔內(nèi)的可飽和吸收體，證明了它們對多吉赫茲脈沖激光發(fā)射具有誘人的光學(xué)調(diào)制特性。特別是，基于混合波導(dǎo)激光器結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了具有/不具有激光反射鏡的高性能調(diào)q鎖模激光器，提供了1 μm的激光脈沖，持續(xù)時(shí)間短至30 ps。研究結(jié)果顯示了金屬M(fèi)Xenes和波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在功能光子器件應(yīng)用中的巨大潛力。
圖1 (a) Ti3C2Tx和(b) Ta4C3Tx MXenes的制備過程示意圖。
圖2. 多層(a) Ti3C2Tx和(b) Ta4C3Tx MXenes的SEM圖像。TBAOH插層后的Ti3C2Tx和Ta4C3Tx MXenes的HRTEM和SAED圖像。(e) Ti3C2Tx(頂部)和標(biāo)準(zhǔn)Ti3AlC2光譜(底部)的XRD光譜。(f) Ta4C3Tx(頂部)和標(biāo)準(zhǔn)Ta4AlC3光譜(底部)的XRD圖案。
圖3 制備的(a) Ti3C2Tx和(b) Ta4C3Tx薄膜的AFM圖像和從AFM圖像獲得的少層Ti3C2Tx和(d) Ta4C3Tx MXenes的橫截面高度剖面。
圖4. (a) Ti3C2Tx和(b) Ta4C3Tx MXenes的晶體結(jié)構(gòu)的頂部和側(cè)面視圖。 (c) 兩層 Ti3C2Tx和(d) Ta4C3Tx的能帶結(jié)構(gòu)。
圖5 (a) Ti3C2Tx和(b) Ta4C3Tx MXenes的NIR-MIR光譜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論擬合(c) Ti3C2Tx和(d) Ta4C3Tx的非線性吸收基于開放孔徑z -掃描測量在1035 nm。
圖6 用于引導(dǎo)特性表征和QML激光產(chǎn)生的典型端面耦合系統(tǒng)的說明。
圖7 基于Ti3C2Tx SA的波導(dǎo)激光器性能研究。
圖8 基于Ta4C3Tx SA的波導(dǎo)激光器性能研究。
相關(guān)科研成果由山東大學(xué)晶體材料學(xué)院Feng Chen等人于2023年發(fā)表在ACS Applied Nano Materials (https://doi.org/10.1021/acsanm.2c04004)上。原文：Nanometer-Thin Stacks of MXenes (Ti3C2Tx and Ta4C3Tx) for Applications as Nonlinear Photonic Devices。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號
