表面電荷轉移摻雜石墨烯具有結構簡單、摻雜效率高、易于控制等優點，在石墨烯基電子器件中占有重要地位。在本研究中，我們利用p型強分子摻雜劑六氰基-三甲烯-環丙烷(CN6-CP)演示了石墨烯表面電荷轉移空穴的有效摻雜。原位光電子能譜研究表明，CN6-CP具有6.37 eV的高本征功函數，促進了石墨烯向CN6-CP的電子轉移。因此，石墨烯層在與CN6-CP直接接觸時出現了孔堆積現象。霍爾效應測量結果表明，在6 nm CN6-CP蒸發后，石墨烯的面空穴密度從8.3x10
12 cm
-2顯著增加到2.21x10
13 cm
-2。具有強p-摻雜效應的CN6-CP受體對石墨烯基電子器件和有機電子器件都具有重要意義。
圖1. (a) CN6-CP的分子結構和摻雜機理。(b)裸硅基底上2 nm CN6-CP的UPS光譜。
圖2. (a) SECO在低動能區的UPS光譜，(b) 低結合能區的價帶特征和(c) EF附近的相應特寫光譜，以及CN6-CP 在石墨烯上連續沉積過程中的XPS核心能級的(d) C 1s和(e) N 1s光譜。
圖3. 石墨烯的樣品功函數和 sp
2 C 1s 峰隨 CN6-CP 覆蓋率的變化。
圖4. 石墨烯范德保羅器件在 6 nm CN6-CP 蒸發前后的霍爾電壓響應。
相關研究成果由中國科學院化學研究所，中國科學院有機固體重點實驗室，北京分子科學國家研究中心Xiaojuan Dai等人于2022年發表在Chinese Chemical Letters (https://doi.org/10.1016/j.cclet.2022.02.044)上。原文：Surface charge transfer doping of graphene using a strong molecular dopant CN6-CP。
轉自《石墨烯研究》公眾號
