這里通過(guò)水熱和聚合方法，開(kāi)發(fā)了一種三明治復(fù)合材料陣列。在這樣的獨(dú)特的結(jié)構(gòu)中，起皺的MoSe2納米片夾在垂直石墨烯（VG）核和N摻雜碳（N-C）殼中間，形成了三明治核/殼陣列。所獲得的VG/MoSe2/N-C三明治陣列具有一系列優(yōu)勢(shì)，包括高導(dǎo)電性，強(qiáng)機(jī)械穩(wěn)定性和大孔隙率等。作為初步測(cè)試，VG/ MoSe2/N-C三明治陣列的鈉離子存儲(chǔ)特性被表征評(píng)估，其容量達(dá)540 mA h g-1，優(yōu)異的高倍率特性和長(zhǎng)期循環(huán)穩(wěn)定性（1000個(gè)周期后，在2.0 A g-1時(shí)容量為298 mA h g-1）。該三明治核/殼結(jié)構(gòu)對(duì)電化學(xué)性能起到正面作用，即導(dǎo)電碳網(wǎng)絡(luò)和良好的容積適應(yīng)性，以及高度多孔的結(jié)構(gòu)便于離子快速擴(kuò)散。
Figure 1.（a）合成三明治VG/MoSe2/N-C核殼陣列的示意圖。（b-d）對(duì)應(yīng)過(guò)程的SEM圖。
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Figure 2. a–c）三明治VG/MoSe2/N-C核殼陣列的SEM圖像和d–f）TEM圖像。 g）C，Mo，Se和N元素分布情況。h）三明治VG/MoSe2/N-C核殼陣列樣品的光學(xué)照片。
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Figure 3. VG，VG/MoSe2和VG/MoSe2/N-C的a）XRD圖和b）拉曼光譜。 VG/MoSe2/N-C的XPS光譜：c）總譜，d）Mo 3d，e）Se 3d和f）N 1s光譜。
Figure 4. VG/MoSe2和VG/MoSe2/N-C電極的電化學(xué)特性：a）第三個(gè)循環(huán)的CV曲線，掃描速率為0.1 mV s-1，電壓范圍在0.01和3.0 V之間。 b）5次循環(huán)后，在3.0 V電位時(shí)的Nyquist圖。c）在0.2 A g-1電流密度下，第1，第2和第100周期的放電/充電電壓曲線。d）VG/MoSe2/N-C電極的倍率特性和e）分別在1和2 A g-1電流密度下的循環(huán)穩(wěn)定性。
該研究工作由浙江大學(xué)Jiangping Tu課題組，發(fā)表在Adv. Energy Mater.期刊上。原文：Exploring Advanced Sandwiched Arrays by Vertical Graphene and N-Doped Carbon for Enhanced Sodium Storage。
轉(zhuǎn)自《石墨烯雜志》公眾號(hào)
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