這里，提出了一種新的策略來增強單壁碳納米管（SWCNT）薄膜的光電性能，從而用于透明電極當中。首先，從理論上考慮了導電模式幾何形狀對膠片品質因數的影響，然后進行實驗檢驗了所計算的結構。研究結果表明，結合薄膜的初始特性（低透射率，高導電率），圖案化的SWCNT薄膜可實現最佳特性。所提出的策略使得SWCNT圖案化層要優于目前廣泛使用的氧化銦錫電極（柔性和剛性基底上均可）。
Figure 1.（a-d）圖案化SWCNT網格在f = 0.1、0.4、0.8和1時的示意圖。（e）圖案化和連續SWCNT層的透光率與薄層電阻的函數關系。
Figure 2. 圖案化（虛線）和連續（實線）SWCNT薄膜的薄層電阻對圖案化之前SWCNT層透光率的依賴性。
Figure 3. 圖案化薄膜制造的每個步驟之后的SWCNT薄膜的室溫拉曼光譜（λ= 784.5 nm），全部光譜歸一化為G波段強度。
Figure 4. 圖案化和連續的SWCNT膜的光學透射光譜。插圖展示了圖案化SWCNT膜在石英基板上的光學顯微鏡圖像，基板厚度90 nm，線寬為8μm，單元周期為240μm，填充系數0.06。
Figure 5.（a）帶有Cr/Au觸點的SWCNT條紋（藍色）的光學顯微鏡圖像。（b）條紋電阻乘以寬度與條紋長度的函數關系。（c）條紋電阻除以長度與條紋寬度的函數關系。
該研究工作由俄羅斯彼得堡理工大學Dmitry Mitin課題組于2020年發表在ACS Appl. Mater. Interfaces期刊上。原文：Optimization of Optoelectronic Properties of Patterned SingleWalled Carbon Nanotube Films。
轉自《石墨烯雜志》公眾號
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