在變形蜂窩狀網格中，通過使用排列的耦合微波諧振器陣列，我們實驗觀察到了整個分頻過程中偽朗道能級從消失到大偽磁場強度的形成。通過利用所有場強中，與偽朗道水平兼容的幾何形狀中的自適應設置，可以實現此結果。所采用的方法使我們能夠在光譜上觀察到完整形成的“平帶”偽朗道能級，成為狀態(tài)光子密度中的尖峰，并在空間上對相關的波函數進行成像，在此我們?yōu)樘卣餍越Y點結構提供了清晰的證據，反映了基礎低能理論中以前難以捉摸的超對稱性。特別地，我們解決了異常第0個偽朗道層的全子晶格極化，這揭示了在無應變情況下與之字形邊緣狀態(tài)的深層聯系。
Fig. 1 實驗裝置。
Fig. 2 朗道級的形成。
Fig. 3 超對稱節(jié)點結構。
相關研究成果于2020年由法國尼斯物理研究所Fabrice Mortessagne課題組，發(fā)表在Light: Science & Applications (https://doi.org/10.1038/s41377-020-00351-2)上。原文：Observation of supersymmetric pseudo-Landau levels in strained microwave graphene。
摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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