在任何科學實驗中處理樣品時，避免和消除表面污染是至關(guān)重要的任務。對于二維材料（如石墨烯）尤其如此，由于其較大的表面積，二維材料極易受到污染的影響。盡管已經(jīng)做出了許多努力來減少和去除這種表面的污染，但是這個問題仍未解決。在此，我們報告了一種原位機械清潔方法，該方法能夠從二維膜的兩側(cè)到原子級進行清潔，以清除特定位置的污染物。此外，我們還討論了再污染的機理，發(fā)現(xiàn)表面擴散是電子顯微鏡中污染的主要因素。最后，通過向清潔區(qū)域提供前體分子，實現(xiàn)了對納米晶石墨烯層的定向、電子束輔助合成。
Fig. 1 機械清洗的一般概念和技術(shù)實施。
Fig. 2 SEM中的原位機械清潔程序。
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Fig. 3 TEM中的原位機械清潔方法。
Fig. 4 再污染機制。
Fig. 5 通過提供前體分子來生長納米晶體石墨烯層。
相關(guān)研究成果于2020年由德國微觀和納米結(jié)構(gòu)研究所(IMN)和納米分析與電子顯微鏡中心(CENEM) Erdmann Spiecker課題組，發(fā)表在Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-020-15255-3)上。原文：Mechanical cleaning of graphene using in situ electron microscopy
